| 
Транзистор
был изобретен в 1948 г. в лабораториях фирмы BELL (США) американцами У.
Шокли,
У. Браттейном и Дж. Бардином. Транзистор представляет собой
полупроводниковый
прибор, использующийся для усиления, генерирования и
преобразования электрических коле-
баний. Он выполнен на основе
монокристаллического полупроводника (преимущественно Si
или Ge),
содержит не менее трех областей с различной (электронной (n) и дырочной
(p)) про-
водимостью. Хотя и существует большая разновидность типов, в
зависимости от особенностей
функционирования, транзисторы могут быть
разделены на две основные категории — биполяр-
ные транзисторы и
однополярные (полевые, FET) транзисторы. Относительно недавно были
разработанны
IGBT-транзисторы, которые прдставляют собой комбинацию из биполярного и
полевого
транзитора. Биполярный
транзистор — полупроводник, состоящий из трех областей с
чередующимися
типами электропроводности. Его используют в электронике
для усиления электрической мощ-
ности. В биполярных транзисторах ток
определяется движением носителей заряда двух типов:
электронов и
дырок (отсюда их название — биполярные транзисторы). В транзисторах
этого
типа с помощью трехслойной полупроводниковой структуры из
полупроводников различной
электропроводности создаются два p-n
перехода с чередующимися типами электропроводности.
Таким образом,
биполярные транзисторы могут быть подразделены на два типа: p-n-p и
n-p-n.
Один из крайних слоев с высокой концентрацией примесей, а,
следовательно, и основных
носителей заряда, называется эмиттером, он
главным образом и создает ток транзистора. Другой
крайний слой с
несколько меньшей концентрацией основных носителей заряда называется
кол-
лектором и служит для приема носителей заряда, поступающих от
эмиттера. Между эмиттером и
коллектором находится база — тонкий слой
полупроводника, обедненного носителями заряда, с
помощью которого
осуществляется необходимое смещение обоих p-n переходов и через который
существует
сквозной ток от эмиттера к коллектору. Для описания полевых
транзисторов часто
используют аббревиатуру FET (Field Effect
Transistor). Полевой
транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в
результате
действия перпендикулярного току электрического поля,
создаваемого входным сигналом. |
